IPB08CNE8N G
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPB08CNE8N G |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 85V 95A D2PAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 130µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 95A, 10V |
Verlustleistung (max) | 167W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6690 pF @ 40 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 99 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 85 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 95A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPB08C |
IPB08CNE8N G Einzelheiten PDF [English] | IPB08CNE8N G PDF - EN.pdf |
INF TO-263
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
IPB085N06LG VB
IPB090N06N3 G Infineon Technologies
Infineon NA
MOSFET N-CH 100V 95A D2PAK
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INFINEON TO-263
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MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
IPB08CNE8N Infineon
INF TO-263
IPB091N06N G INFINEON
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
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Zielpreis (USD)
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